La presentación de Chips de Samsung dejo claro en su hoja de ruta ( roadmap) de fabricación de chips en su evento Samsung Foundry Forum hace ya algunos meses, en donde se dijo, entre otras cosas, que iniciaría su propio proceso fotolitográfico de fabricación de SoCs de tres nanómetros en el primer semestre de este mismo año, pero con el problema que está teniendo con la fabricación de su Snapdragon 8 de primera generación, que se calienta mucho – como ya les pasaba a los Snapdragon 888 y 888+ – y que pierde mucha potencia después de un tiempo de uso intensivo, las cosas están cambiando un tanto dentro de la compañía coreana en este sentido.
Volviendo al evento anual Samsung Foundry Forum, Choi Si-young habló sobre la producción de chips de la compañía, y qué iba a suponer la carestía global de los mismos iba a suponer para el futuro de su negocio Foundry. Si-young es presidente y cabeza visible del Samsung Foundry Business y expuso la hoja de ruta para la fabricación de SoCs de tres y de dos nanómetros.
Samsung pretende seguir siendo competitivo en este exigente mercado a pesar de la carestía global de componentes, y Si-young repitió con insistencia que Samsung «liderará en las tecnologías punta, llevando la escala del silicio un paso más allá»,
Aún con esta situación de escasez, la compañía piensa que “pocas empresas estén preparadas para competir en esta nueva frontera del proceso de escala ( de los chips)”.
Para empezar, Samsung planea iniciar la producción en masa de chips de 2 nanómetros en 2025. La actual generación de smartphones de Samsung y Apple (fabricados por Samsung, Qualcomm, y TSMC) están equipados con SoC’s fabricados con el proceso de 5 nanómetros, a saber: Samsung Exynos 2200, Snapdragon 8 Gen 1, también de Samsung (el Gen 1+ será fabricado por TSMC), A15 Bionic, de Apple/TSMC, y finalmente el MediaTek Dimensity 9000, de TSMC.
Y como ya se ha apuntado antes, el fabricante coreano espera iniciar el proceso fotolitográfico de fabricación de 3 nanos en el primer semestre de este mismo año.
Estos nuevos chips implementarían la potencia sobre los actuales de 5 nanos en un 30%, ahorrando un 50% de energía, gracias a la nueva tecnología nodal gate-all-around (GAA), además de reducir su superficie en un 35%, con todo lo que ello implica, dada la escasez actual de espacio en los móviles, debido a sus crecientes baterías.
Los chips de 3 nanómetros se fabricarán en la planta de Samsung ubicada en Pyeongtaek, Corea – que está siendo actualmente ampliada para absorber una mayor capacidad de producción.
Tambier hay planes para ubicar instalaciones en los EEUU, pero no hay detalles de momento al respecto.
Mientras tanto, la segunda generación de chips de 3 nanómetros se espera que inicie su producción en el año 2023.
Samsung también comentó que el proceso de fabricación de chips de 2 nanómetros está en una fase inicial de desarrollo, y que se utilizará en él el sistema GAA antes comentado y también la tecnología multi-bridge-channel FET , que se encuentra también en desarrollo.
